1. SK hynix намерена увеличить производительность HBM в 30 раз. Компания собирается разработать память семейства HBM, которая будет быстрее существующих образцов в 20 или 30 раз.
2. SK hynix работает с компаниями «великолепной семёрки» по адаптации памяти HBM под их нужды. Компания планирует предложить клиентам адаптированные под их потребности варианты памяти HBM4.
3. SK hynix стремится к самостоятельному формированию отраслевых стандартов в сфере HBM. Компания считает, что кастомизация памяти станет существенным фактором, меняющим ход развития всей полупроводниковой отрасли.
4. SK Hynix готовит выпуск 400-слойной памяти NAND в следующем году. Для достижения такой плотности SK Hynix рассматривает гибридную связку слоёв, которая требует новых материалов пакетов и методов соединения.
5. В качестве варианта связи рассматривается метод притирки, травления, осаждения и проводниковой связи. Разделение слоёв на отдельные пластины может помочь решить проблему перегрева многослойных стеков и улучшить охлаждение. SK hynix утверждает, что технология и инфраструктура будут готовы к концу следующего года.
6. Samsung планирует выпустить 1000-слойную память в 2030 году, а Kioxia — к 2027 году. Производители микросхем оперативной памяти внедряют EUV литографию. SK hynix считает, что для оправдания затрат на EUV необходимо перейти на вертикальную компоновку транзисторов.
7. При такой компоновке площадь кристалла памяти можно сократить на 30% по сравнению с классической технологией 6F2. Совокупность EUV литографии и вертикальной компоновки (VG или 4F2) позволяет снизить затраты в два раза. Samsung Electronics также рассматривает возможность производства 3D DRAM с «вертикальными» транзисторами и техпроцессов с нормами менее 10 нм.
8. Внедрение новой структуры транзисторов позволит оправдать затраты на EUV литографию. Новая компоновка потребует новых материалов при производстве микросхем DRAM. Массовое производство с использованием новой технологии возможно не ранее 2027 года.
9. В следующем десятилетии Samsung планирует внедрить выпуск многослойной памяти DRAM.Thank you for reading this post, don't forget to subscribe!
горизонтом производительности: SK hynix покоряет вершины памяти HBM
В мире стремительного развития технологий память HBM (High Bandwidth Memory) – это тот золотой стандарт, который определяет предел возможностей высокопроизводительных вычислений. И именно SK hynix, южнокорейский гигант полупроводникового рынка, взял курс на революцию в этой сфере.
Компания обещает увеличить производительность своих будущих HBM-модулей в 20–30 раз по сравнению с текущими решениями. Это сопоставимо с невероятным скачком, который когда-то пережил первый iPhone – выверенная до мельчайших деталей технология и смелая стратегия принесли успех. SK hynix работает не только над тем, чтобы сделать память HBM быстрее, но и делает ее максимально приспособленной к потребностям конкретных компаний. В этом смысле мы можем говорить о “кастомизации”, которая как утверждает сама SK hynix станет ключевым фактором развития всей полупроводниковой отрасли.
Однако SK hynix не останавливается на достигнутом. В планах компании – выпуск 400-слойной памяти NAND уже в следующем году. Это колоссальный шаг вперед, ведь Samsung планирует выпустить 1000-слойную память только к 2030 году, а Kioxia – к 2027. SK hynix использует для достижения такой плотности гибридную связку слоёв и разрабатывает новые материалы пакетов и методы соединения, в том числе притирку, травление, осаждение и проводниковую связь.
Разделение слоёв на отдельные пластины – это ещё одна важная технология, которая может помочь решить проблему перегрева многослойных стеков и улучшить их охлаждение. SK hynix утверждает, что к концу следующего года вся необходимая технология и инфраструктура для выпуска 400-слойной памяти будут готовы.
В мире производства оперативной памяти всё большую популярность приобретает EUV литография – технология, позволяющая создавать более сложные транзисторные структуры с меньшим размером. Samsung Electronics рассматривает возможность производства 3D DRAM с «вертикальными» транзисторами и техпроцессов с нормами менее 10 нм. Внедрение новой структуры транзисторов позволит оправдать затраты на EUV литографию, сократить площадь кристалла памяти на 30% по сравнению с классической технологией 6F2. Совокупность EUV и вертикальной компоновки (VG или 4F2) позволяет снизить затраты в два раза.
SK hynix придерживается того же направления, считая необходимым перейти на вертикальную компоновку транзисторов для оправдания инвестиций в EUV. Новая компоновка потребует новых материалов при производстве микросхем DRAM. Массовое производство с использованием новой технологии возможно не ранее 2027 года.