1. Samsung Electronics освоила выпуск 3 нм продукции с использованием структуры транзисторов GAA в середине 2022 года. Планирует внедрить 1,4 нм литографические нормы к 2027 году и начать применение подвода питания с оборотной стороны кремниевой пластины в рамках 2 нм техпроцесса. Рассчитывает увеличить количество клиентов в пять раз к 2028 году и увеличить сопутствующую выручку в девять раз. К 2028 году ёмкость рынка полупроводниковых компонентов вырастет до $778 млрд. Планирует начать массовое производство 3 нм чипов во второй половине текущего года. В первом квартале текущего года доля Samsung на рынке контрактных услуг по производству чипов составляла 11%.Thank you for reading this post, don't forget to subscribe!
2. Представлены две технологические нормы: SF2Z и SF4U. SF2Z использует транзисторы GAAFET, а SF4U – FinFET. 2 нм техпроцесс SF2Z будет поддерживать технологию подачи питания с обратной стороны (BSPDN). SF2Z позволит устранить узкие места, увеличить производительность, плотность размещения транзисторов и снизить падение напряжения. 4 нм техпроцесс SF4U предложит улучшение соотношения плотности/производительности/площади за счет оптической усадки. Массовое применение SF2Z ожидается в 2027 году, а SF4U – в следующем году.
3. Samsung Electronics планирует предложить клиентам механизм “единого окна” для ускоренного производства чипов искусственного интеллекта. Время на производство ИИ чипов было сокращено примерно на 20% благодаря использованию “единого окна”. Ожидается, что доходы мировой индустрии чипов вырастут до $778 млрд к 2028 году благодаря ИИ чипам. Представлена архитектура чипов под названием gate all around (GAA), которая помогает улучшить производительность чипов и снизить энергопотребление. Samsung начала применять GAA раньше конкурентов и планирует массовое производство своих вторых поколений 3 нанометровых чипов с использованием GAA во второй половине текущего года. Объявлено о последнем 2 нанометровом процессе производства чипов для высокопроизводительных вычислений, массовое производство намечено на 2027 год.
Samsung Electronics продолжает шагать вперед в мире полупроводниковой индустрии, представляя новейшие технологии и добиваясь впечатляющих достижений. В середине 2022 года компания освоила производство 3 нм продукции с использованием структуры транзисторов GAA. Это означает более высокую производительность и энергоэффективность чипов, что открывает двери для новых возможностей в мире технологий и игр.
Планы Samsung на ближайшие годы включают внедрение 1,4 нм литографических норм к 2027 году, что подчеркивает стремление компании к постоянному совершенствованию и инновациям. Кроме того, Samsung планирует увеличить количество клиентов в пять раз и выручку в девять раз к 2028 году, что свидетельствует о ее амбициозных планах на будущее.
Но это еще не все. Samsung готовится начать применение подвода питания с оборотной стороны кремниевой пластины в рамках 2 нм техпроцесса, что позволит улучшить эффективность и производительность чипов. Ожидается, что массовое производство 3 нм чипов начнется во второй половине текущего года, что вызывает ожидание у многих техно-геймеров.
Но и Samsung Foundry Forum не отстает от материнской компании, представляя две инновационные технологические нормы: SF2Z и SF4U. SF2Z, использующая транзисторы GAAFET, и SF4U, базирующаяся на технологии FinFET, обещают революцию в мире полупроводников. Ожидается, что массовое применение SF2Z начнется в 2027 году, а SF4U – в следующем году, принося новые возможности и улучшения в производстве чипов.
Наконец, Samsung Electronics предлагает инновационный механизм “единого окна” для ускоренного производства чипов искусственного интеллекта. Благодаря этой технологии, время на производство ИИ чипов сокращается на 20%, что открывает новые перспективы для развития и применения искусственного интеллекта. Стремление Samsung к совершенствованию отражается в использовании архитектуры чипов gate all around (GAA), что помогает улучшить производительность и снизить энергопотребление.
Таким образом, Samsung Electronics продолжает внедрять новейшие технологии, устанавливая высокие стандарты в индустрии и подтверждая свое лидерство в мире полупроводников и технологий. С ожиданием ждем новых достижений и инноваций, которые принесет будущее.