1. Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290 слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V NAND уже в этом месяце. В следующем году производитель планирует выпустить 430 слойные чипы флеш-памяти NAND.
2. Чипы Samsung 3D V NAND 9-го поколения с 290 слоями будут выпускаться с использованием технологии двойного штабелирования. Samsung впервые применила технологию двойного штабелирования в 2020 году при производстве 176 слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения.
3. Во второй половине следующего года компания планирует перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V NAND с 430 слоями. В настоящее время производители выпускают решения с максимум 236 слоями. Samsung работает над 10-м поколением памяти V NAND с целью достижения 430 слоев, которое появится в следующем году.
4. Рынок памяти испытывает сложные времена, но объемы производства постепенно восстанавливаются. Негативная сторона: рынок памяти испытывает сложные времена для рядовых потребителей. Позитивная сторона: Samsung устанавливает новый стандарт в индустрии с выпуском новой памяти V NAND 9-го поколения.
5. Детальная информация: Индустрия памяти NAND вступила в горячую гонку за количество слоев, где Samsung лидирует над конкурентами SK Hynix и Kioxia. Samsung уверенно обгоняет конкурентов SK Hynix и Kioxia в гонке за количество слоев памяти NAND.
Компания Samsung Electronics готовится взорвать рынок технологий с анонсом массового производства 290 слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V NAND уже в этом месяце. Это означает, что в ближайшем будущем мы можем ожидать появления более мощных и емких устройств с улучшенной производительностью и скоростью передачи данных.Thank you for reading this post, don't forget to subscribe!
Но Samsung не останавливается на достигнутом. По планам производителя, в следующем году нас ждут еще более внушительные 430 слойные чипы флеш-памяти NAND. Это свидетельствует о стремлении компании к постоянному совершенствованию технологий и увеличению объемов производства.
Особенностью чипов Samsung 3D V NAND 9-го поколения с 290 слоями является применение технологии двойного штабелирования. Эта технология была впервые использована в 2020 году при производстве 176 слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения, что позволяет Samsung оставаться на передовой в индустрии памяти.
Вторая половина следующего года обещает быть еще более захватывающей, поскольку Samsung планирует перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V NAND с 430 слоями. Это подтверждает позицию компании в качестве лидера, превосходя конкурентов SK Hynix и Kioxia в гонке за количество слоев памяти NAND.
Несмотря на сложности на рынке памяти, Samsung продолжает устанавливать новые стандарты в индустрии с выпуском новых продуктов. Появление памяти V NAND 9-го поколения ставит компанию на пьедестал инноваций, подтверждая ее решимость и технологическое превосходство.