Революционный прорыв: SK hynix запускает производство памяти HBM3E с технологией MR MUF

Thank you for reading this post, don't forget to subscribe!

SK hynix, ведущий поставщик микросхем HBM для гигантов индустрии – AMD и Nvidia, объявил о запуске массового производства чипов памяти нового поколения HBM3E. Этот шаг последовал после анонса ускорителей Nvidia B200, в которых планируется использовать новейшую память. Интерес к технологии MR MUF, предоставляющей улучшенные условия теплоотвода и повышающей производительность, привлекает внимание Samsung, который также рассматривает возможность внедрения этой инновации.

SK hynix стала первой компанией в мире, освоившей серийное производство микросхем памяти HBM3E, способных передавать данные со скоростью 1,18 Тбайт в секунду. Новая память обещает улучшение рассеивания тепла на 10%, что делает ее еще более привлекательной для рынка. Аналитики прогнозируют, что спрос на чипы HBM от SK hynix будет расти, и мощности компании уже забронированы на 2024 год.

Технология MR MUF, разработанная SK hynix, предоставляет эффективное охлаждение чипов HBM3E и улучшает надежность сборки. В это же время Samsung сталкивается с проблемами при использовании своей технологии NCF для охлаждения чипов HBM3E, что заставляет их рассматривать возможность перехода на MR MUF. SK hynix, таким образом, укрепляет свои позиции на рынке памяти для систем искусственного интеллекта, предлагая инновационные решения и устанавливая новые стандарты в отрасли.