Перейти к содержимому

Революция в мире технологий: новая память HBM3E от Samsung и AMD Instinct MI300X

На выставке MWC 2024 появился первый образец ускорителя AMD Instinct MI300X с 12 слойной памятью HBM3E. Компания AMD готовит новые модификации ускорителей семейства Instinct MI300 для обработки ресурсоёмких ИИ приложений, в которых будет использоваться высокопроизводительная память HBM3E. MI300X оснащен 304 блоками CDNA3 и 192 Гбайт HBM3, но не имеет ядер Zen4.

Thank you for reading this post, don't forget to subscribe!

AMD также планирует использовать память HBM3E в обновленных ускорителях Instinct MI300, а в 2025 году выпустить ИИ ускорители нового поколения – серию Instinct MI400. В то же время конкуренты из NVIDIA готовят ускорители семейства Blackwell для решения задач искусственного интеллекта.

Однако самой значительной новинкой становится новый чип HBM3E 12H от Samsung Electronics, который обладает самой высокой емкостью на сегодняшний день в отрасли. Этот чип повышает производительность и емкость памяти более чем на 50%, что делает его идеальным для поставщиков отраслевых услуг в области искусственного интеллекта.

Samsung акцентирует внимание на рынок искусственного интеллекта, где ускорители для ИИ обычно оснащаются памятью HBM. Улучшенная плёнка новой памяти также улучшает тепловые свойства, что делает ее еще более привлекательной на рынке.

Микросхемы HBM3E будут использоваться в специализированных ИИ ускорителях NVIDIA H200, массовые поставки начнутся во втором квартале 2024 года. Поставки памяти HBM3E в 12-слойном исполнении уже начались, а массовое производство стартует в первой половине текущего года. Таким образом, мир технологий стоит перед новыми вызовами и возможностями благодаря революционным разработкам от Samsung и AMD.